Heterojunction bipolarni tranzistor

Bipolarni tranzistor s heterojunkcijo (HBT) je vrsta tranzistorja s heterojunkcijo (BJT), ki za emitor in bazo uporablja različne polprevodniške materiale, tako da nastane heterojunkcija. HBT lahko obdeluje signale veliko višjih frekvenc (do več sto GHz) kot BJT. HBT se pogosto uporablja v sodobnih ultrahitrih vezjih, predvsem v radiofrekvenčnih (RF) sistemih, in v aplikacijah, ki zahtevajo visok izkoristek moči, kot so RF ojačevalniki moči v mobilnih telefonih. Zamisel o uporabi heteroprehoda je stara kot običajni BJT, saj sega v patent iz leta 1951.

Materiali

Glavna razlika med BJT in HBT je v uporabi različnih polprevodniških materialov za emitorsko in bazno območje, kar omogoča heteroprehod. To omejuje vbrizgavanje lukenj iz baze v območje emitorja, saj je potencialna pregrada v valenčnem pasu višja kot v prevodnem pasu. Za razliko od tehnologije BJT to omogoča uporabo visoke gostote dopinga v bazi. Visoka gostota dopiranja zmanjša upornost baze in hkrati ohranja dobiček. Učinkovitost heteroprehoda se meri s Kroemerjevim faktorjem.

Pasovi v stopenjskem heterojunction npn bipolarnem tranzistorju. Navedene so ovire za prehod elektronov iz emitorja v bazo in za vbrizgavanje lukenj nazaj iz baze v emitor; prav tako stopnjevanje pasovne vrzeli v bazi pomaga pri prenosu elektronov v baznem območju; svetle barve označujejo osiromašena območja

Vprašanja in odgovori

V: Kaj je bipolarni tranzistor s heterojunkcijo (HBT)?

V: Kako se HBT razlikuje od BJT?

V: Kateri so nekateri načini uporabe HBT?

V: Kdaj se je pojavila zamisel o uporabi heterojunkcije v BJT?

V: Kakšna je prednost uporabe HBT v RF sistemih?

V: Kakšna je prednost uporabe HBT v mobilnih telefonih?

V: Katere regije se uporabljajo v HBT?

Išči po črki